Un especialista alemán en recuperación de datos ha confirmado lo que muchos han dicho registro Los lectores sospecharán que las memorias USB son cada vez menos fiables. La razón, como habrás adivinado, son los chips de memoria inferiores, mientras que la tendencia a almacenar varios bits por celda flash también influye.
Recuperación de datos CBL a publicar La calidad de los componentes de memoria más nuevos en las tarjetas microSD y USB está disminuyendo, e informó que los dispositivos USB con el logotipo del fabricante NAND eliminado del chip aparecen cada vez más en su laboratorio de recuperación de datos.
Sospecha que los chips flash de fabricantes como SK hynix, Sandisk o Samsung que no superan los controles de calidad se revenden en el mercado, pero están etiquetados como componentes con menor capacidad de memoria.
«Cuando abrimos las memorias USB defectuosas el año pasado, encontramos una cantidad alarmante de chips de memoria de mala calidad y de baja capacidad y con el logotipo del fabricante retirado del chip», escribió Konrad Heinke, director general de CBL (traducido del alemán).
Muchas memorias USB ya tienen tarjetas microSD montadas en la placa de circuito y administradas por un chip de control externo, dijo Heinicke. Si bien las memorias USB como estas eran en su mayoría obsequios promocionales, también había productos de marca entre ellas, dijo, y añadió: «No se debe confiar demasiado en la confiabilidad de la memoria flash».
El punto de Hyneke es que la adopción de arquitecturas de celdas multinivel, donde se persuade a una sola celda de memoria para que almacene más de un solo bit variando el voltaje, también ha exacerbado la situación. En las celdas de cuatro niveles (QLC), por ejemplo, en cada celda se almacenan cuatro bits, lo que significa que es necesario distinguir 16 estados.
Este camino fue elegido por los fabricantes de memorias flash NAND porque ofrece una mayor densidad de almacenamiento, lo que significa unidades de mayor capacidad y menores costos por gigabyte. Pero también tiene efectos sobre la resistencia o longevidad de las células. En otras palabras, las células se desgastan más rápido cuanto más bits se utilizan para almacenar.
«La desventaja del éxito en el aumento de la densidad de almacenamiento: menor capacidad de escritura (resistencia) y capacidad de almacenamiento (retención)», escribió. «Esto significa que el número máximo de ciclos de escritura y lectura posibles disminuye y aumenta el riesgo de que las diferencias de carga, que se leen en forma de bits, no puedan leerse debido al envejecimiento de la capa aislante que contiene estas cargas».
Según nuestro sitio web hermano Bloques y archivosuna celda de un solo nivel admite aproximadamente 100 000 ciclos, mientras que una celda MLC (2 bits) se desgasta después de aproximadamente 10 000 ciclos, una celda de tres niveles está limitada a 3000 ciclos y QLC admite aproximadamente 1200. Las celdas que llegan al nivel penta ( 5 bits por celda) probablemente tengan menos de 600 ciclos.
«Incluso con chips de memoria de alta calidad, el esfuerzo que los fabricantes tienen que poner en los mecanismos de corrección de errores del controlador es enorme. No es sorprendente que se produzcan pérdidas de datos en memorias USB que contienen chips que han sido apagados», afirma Heinicke.
Publicó algunos consejos para los usuarios de Flash. Si escribe y borra datos con frecuencia en memorias USB, como por ejemplo cuando se utilizan como dispositivos de copia de seguridad, debe utilizar varias memorias USB en rotación.
Si el medio flash se utilizará para almacenar algo durante un período prolongado, utilice dispositivos de almacenamiento de alta calidad y manténgalo en un lugar fresco, ya que las altas temperaturas pueden acelerar la pérdida de datos.
Se debe acceder al almacenamiento flash anualmente o semestralmente, ya que esto permite que los mecanismos de corrección de errores copien datos «aburridos» internamente, y los dispositivos no deben llenarse al máximo de su capacidad; dejar espacio sin asignar permite que el mantenimiento de datos internos y los mecanismos de corrección de errores funcionen por más tiempo. ®
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